Samsung MZ-V9S1T0 1 TB M.2 PCIe 4.0 NVMe V-NAND TLC

Descubre el SSD interno que está revolucionando el rendimiento en PCs de última generación. El Samsung MZ-V9S1T0 de 1 TB, con tecnología PCI Express 4.0 NVMe y memoria V-NAND TLC, ofrece unas prestaciones que llevarán tu ordenador al siguiente nivel. En la categoría de discos duros internos, este modelo de la marca Seagate destaca por su alta velocidad, fiabilidad y eficiencia.

Características técnicas más importantes

• Capacidad: 1 TB
• Factor de forma: M.2 2280
• Interfaz: PCIe 4.0 x4 NVMe 1.4
• Velocidad de lectura: Hasta 7.150 MB/s
• Velocidad de escritura: Hasta 6.300 MB/s
• Tipo de memoria: V-NAND TLC (Triple-Level Cell)
• Compatibilidad: Compatible con PCIe 3.0 (modo retrocompatible)
• Consumo energético: Optimizado para menor disipación térmica

Beneficios y usos principales

1. Arranque ultrarrápido
   Gracias a su lectura secuencial de 7.150 MB/s, el sistema operativo y las aplicaciones se inician en segundos, eliminando esperas innecesarias.
2. Transferencias masivas en un instante
   Con velocidades de escritura de hasta 6.300 MB/s, copiar grandes volúmenes de datos —vídeos 4K, proyectos de diseño o librerías de juegos— es más ágil que nunca.
3. Gaming de alto nivel
   Reduce los tiempos de carga en tus títulos favoritos y mejora la fluidez en entornos multijugador.
4. Creación de contenido
   Ideal para editores de vídeo, diseñadores gráficos y desarrolladores 3D que necesitan lecturas/escrituras rápidas y secuenciales.
5. Fiabilidad y durabilidad
   La tecnología V-NAND TLC de Samsung garantiza ciclos de escritura prolongados y estabilidad en el rendimiento, incluso bajo cargas intensivas.

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